ಪ್ರಸ್ತುತ, ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿಯು 8inchN ಮಾದರಿಯ SiC ವೇಫರ್‌ಗಳ ಸಣ್ಣ ಬ್ಯಾಚ್ ಅನ್ನು ಪೂರೈಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸಬಹುದು, ನಿಮಗೆ ಮಾದರಿ ಅಗತ್ಯವಿದ್ದಲ್ಲಿ, ದಯವಿಟ್ಟು ನನ್ನನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿರಿ.ನಾವು ಕೆಲವು ಮಾದರಿ ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ರವಾನಿಸಲು ಸಿದ್ಧರಿದ್ದೇವೆ.
ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ಕಂಪನಿಯು ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ SiC ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪ್ರಗತಿಯನ್ನು ಮಾಡಿದೆ.ಅನೇಕ ಸುತ್ತಿನ ವ್ಯಾಸದ ಹಿಗ್ಗುವಿಕೆಯ ನಂತರ ತನ್ನದೇ ಆದ ಬೀಜದ ಹರಳುಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ಕಂಪನಿಯು 8-ಇಂಚಿನ N- ಮಾದರಿಯ SiC ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಬೆಳೆಸಿದೆ, ಇದು ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಅಸಮ ತಾಪಮಾನ ಕ್ಷೇತ್ರ, ಸ್ಫಟಿಕ ಬಿರುಕು ಮತ್ತು ಅನಿಲ ಹಂತದ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳ ವಿತರಣೆಯಂತಹ ಕಷ್ಟಕರ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಪರಿಹರಿಸುತ್ತದೆ. 8-ಇಂಚಿನ SIC ಸ್ಫಟಿಕಗಳು, ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ SIC ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆ ಮತ್ತು ಸ್ವಾಯತ್ತ ಮತ್ತು ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದಾದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.SiC ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಕಂಪನಿಯ ಪ್ರಮುಖ ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಹೆಚ್ಚಿಸಿ.ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಕಂಪನಿಯು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರದ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ರೇಖೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಉತ್ತೇಜಿಸುತ್ತದೆ, ಅಪ್‌ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಮತ್ತು ಡೌನ್‌ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿನಿಮಯ ಮತ್ತು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಸಹಯೋಗವನ್ನು ಬಲಪಡಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಉತ್ಪನ್ನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಪುನರಾವರ್ತಿಸಲು ಗ್ರಾಹಕರೊಂದಿಗೆ ಸಹಕರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಜಂಟಿಯಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವಸ್ತುಗಳ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಅನ್ವಯದ ವೇಗವನ್ನು ಉತ್ತೇಜಿಸುತ್ತದೆ.
| 8 ಇಂಚಿನ N- ಮಾದರಿಯ SiC DSP ವಿಶೇಷಣಗಳು | |||||
| ಸಂಖ್ಯೆ | ಐಟಂ | ಘಟಕ | ಉತ್ಪಾದನೆ | ಸಂಶೋಧನೆ | ನಕಲಿ |
| 1. ನಿಯತಾಂಕಗಳು | |||||
| 1.1 | ಪಾಲಿಟೈಪ್ | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ಮೇಲ್ಮೈ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. ವಿದ್ಯುತ್ ನಿಯತಾಂಕ | |||||
| 2.1 | ಡೋಪಾಂಟ್ | -- | ಎನ್-ಟೈಪ್ ಸಾರಜನಕ | ಎನ್-ಟೈಪ್ ಸಾರಜನಕ | ಎನ್-ಟೈಪ್ ಸಾರಜನಕ |
| 2.2 | ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ | ಓಮ್ · ಸೆಂ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಿಯತಾಂಕ | |||||
| 3.1 | ವ್ಯಾಸ | mm | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 |
| 3.2 | ದಪ್ಪ | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | ನಾಚ್ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | ನಾಚ್ ಆಳ | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | ಟಿಟಿವಿ | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | ಬಿಲ್ಲು | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | ವಾರ್ಪ್ | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | ರಾ≤0.2 | ರಾ≤0.2 | ರಾ≤0.2 |
| 4. ರಚನೆ | |||||
| 4.1 | ಮೈಕ್ರೊಪೈಪ್ ಸಾಂದ್ರತೆ | ಇಎ/ಸೆಂ2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ಲೋಹದ ವಿಷಯ | ಪರಮಾಣುಗಳು/ಸೆಂ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ಇಎ/ಸೆಂ2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ಇಎ/ಸೆಂ2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ಇಎ/ಸೆಂ2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ಧನಾತ್ಮಕ ಗುಣಮಟ್ಟ | |||||
| 5.1 | ಮುಂಭಾಗ | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ಮೇಲ್ಪದರ ಗುಣಮಟ್ಟ | -- | ಸಿ-ಫೇಸ್ CMP | ಸಿ-ಫೇಸ್ CMP | ಸಿ-ಫೇಸ್ CMP |
| 5.3 | ಕಣ | ಇಎ/ವೇಫರ್ | ≤100(ಗಾತ್ರ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | ಸ್ಕ್ರಾಚ್ | ಇಎ/ವೇಫರ್ | ≤5, ಒಟ್ಟು ಉದ್ದ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | ಎಡ್ಜ್ ಚಿಪ್ಸ್/ಇಂಡೆಂಟ್‌ಗಳು/ಬಿರುಕುಗಳು/ಕಲೆಗಳು/ಮಾಲಿನ್ಯ | -- | ಯಾವುದೂ | ಯಾವುದೂ | NA |
| 5.6 | ಪಾಲಿಟೈಪ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು | -- | ಯಾವುದೂ | ಪ್ರದೇಶ ≤10% | ಪ್ರದೇಶ ≤30% |
| 5.7 | ಮುಂಭಾಗದ ಗುರುತು | -- | ಯಾವುದೂ | ಯಾವುದೂ | ಯಾವುದೂ |
| 6. ಹಿಂದಿನ ಗುಣಮಟ್ಟ | |||||
| 6.1 | ಹಿಂದಿನ ಮುಕ್ತಾಯ | -- | ಸಿ-ಫೇಸ್ ಸಂಸದ | ಸಿ-ಫೇಸ್ ಸಂಸದ | ಸಿ-ಫೇಸ್ ಸಂಸದ |
| 6.2 | ಸ್ಕ್ರಾಚ್ | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | ಹಿಂಭಾಗದ ದೋಷಗಳ ಅಂಚು ಚಿಪ್ಸ್/ಇಂಡೆಂಟ್‌ಗಳು | -- | ಯಾವುದೂ | ಯಾವುದೂ | NA |
| 6.4 | ಬೆನ್ನು ಒರಟುತನ | nm | ರಾ≤5 | ರಾ≤5 | ರಾ≤5 |
| 6.5 | ಹಿಂಭಾಗದ ಗುರುತು | -- | ನಾಚ್ | ನಾಚ್ | ನಾಚ್ |
| 7. ಎಡ್ಜ್ | |||||
| 7.1 | ಅಂಚು | -- | ಚೇಂಫರ್ | ಚೇಂಫರ್ | ಚೇಂಫರ್ |
| 8. ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | |||||
| 8.1 | ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | -- | ನಿರ್ವಾತದೊಂದಿಗೆ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | ನಿರ್ವಾತದೊಂದಿಗೆ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | ನಿರ್ವಾತದೊಂದಿಗೆ ಎಪಿ-ಸಿದ್ಧ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ |
| 8.2 | ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | -- | ಬಹು-ವೇಫರ್ ಕ್ಯಾಸೆಟ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | ಬಹು-ವೇಫರ್ ಕ್ಯಾಸೆಟ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ | ಬಹು-ವೇಫರ್ ಕ್ಯಾಸೆಟ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ |
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಏಪ್ರಿಲ್-18-2023