3 ಇಂಚಿನ Dia76.2mm SiC ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್‌ಗಳು HPSI ಪ್ರೈಮ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಮತ್ತು ಡಮ್ಮಿ ಗ್ರೇಡ್

ವಾಹಕ ತಲಾಧಾರ: 15~30mΩ-cm ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರದ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ವಾಹಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರದಿಂದ ಬೆಳೆದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳಾಗಿ ಮಾಡಬಹುದು, ಇದನ್ನು ಹೊಸ ಶಕ್ತಿಯ ವಾಹನಗಳು, ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕಗಳು, ಸ್ಮಾರ್ಟ್ ಗ್ರಿಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ರೈಲು ಸಾರಿಗೆಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ತಲಾಧಾರವು 100000Ω-ಸೆಂ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಮೈಕ್ರೊವೇವ್ ರೇಡಿಯೊ ಆವರ್ತನ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ವೈರ್‌ಲೆಸ್ ಸಂವಹನ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಆಧಾರವಾಗಿದೆ.

ನಿಸ್ತಂತು ಸಂವಹನ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಇದು ಮೂಲಭೂತ ಅಂಶವಾಗಿದೆ.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇವುಗಳಿಗೆ ಸೀಮಿತವಾಗಿಲ್ಲ:

ಹೈ-ಪವರ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನಗಳು (ವಾಹಕ): ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಗಿತ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಸಾಧನಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

RF ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು (ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್): ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, RF ಪವರ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳಂತಹ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು (ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟೆಡ್): ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ವಿಶಾಲವಾದ ಶಕ್ತಿಯ ಅಂತರವನ್ನು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಫೋಟೋಡಿಯೋಡ್‌ಗಳು, ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಮತ್ತು ಲೇಸರ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ತಾಪಮಾನ ಸಂವೇದಕಗಳು (ವಾಹಕ): ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಸಂವೇದಕಗಳು ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನ ಮಾಪನ ಉಪಕರಣಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ತಲಾಧಾರಗಳ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಸಂಭಾವ್ಯತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಹೊಸ ಸಾಧ್ಯತೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.