4H-ಸೆಮಿ HPSI 2inch SiC ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ವೇಫರ್ ಪ್ರೊಡಕ್ಷನ್ ಡಮ್ಮಿ ರಿಸರ್ಚ್ ಗ್ರೇಡ್

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ಪ್ರಕಾರಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ವಾಹಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರದಿಂದ n-ಟೈಪ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ GaN-ಆಧಾರಿತ ಎಲ್ಇಡಿ ಮತ್ತು ಇತರ ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು, SiC-ಆಧಾರಿತ ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು, ಇತ್ಯಾದಿ ಮತ್ತು ಅರೆ- ನಿರೋಧಕ SiC ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ GaN ಹೈ-ಪವರ್ ರೇಡಿಯೊ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಸಾಧನಗಳ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಅರೆ-ನಿರೋಧನ HPSI ಮತ್ತು SI ಅರೆ-ನಿರೋಧನವು ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆಯೊಂದಿಗೆ 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 ಶ್ರೇಣಿಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ವಾಹಕ ಸಾಂದ್ರತೆ;ಅರೆ ನಿರೋಧನವು ಹೆಚ್ಚಿನ-ನಿರೋಧಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ, ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೈಕ್ರೊವೇವ್ ಸಾಧನದ ತಲಾಧಾರಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ವಾಹಕವಲ್ಲ.

ಸೆಮಿ-ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಶೀಟ್ SiC ವೇಫರ್

SiC ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯು ಅದರ ಭೌತಿಕವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ, Si ಮತ್ತು GaA ಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ, SiC ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ;ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಸಾಧನವು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ನಿಷೇಧಿತ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಗಲವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, Si ಗಿಂತ 3 ಪಟ್ಟು ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ;ಸ್ಥಗಿತ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಇದು Si ಗಿಂತ 1O ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಸಾಧನದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು, ಸಾಧನದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ;ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ದರವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ, ಸಾಧನದ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು Si ಗಿಂತ 2 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು;ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, Si ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, Si ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಹೆಚ್ಚು.ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ, Si ಗಿಂತ 3 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಸಾಧನದ ಶಾಖದ ಪ್ರಸರಣ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಾಧನದ ಮಿನಿಯೇಟರೈಸೇಶನ್ ಅನ್ನು ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.