4 ಇಂಚಿನ ಅರೆ-ಅವಮಾನಕಾರಿ SiC ವೇಫರ್‌ಗಳು HPSI SiC ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರೈಮ್ ಪ್ರೊಡಕ್ಷನ್ ಗ್ರೇಡ್

4 ಇಂಚಿನ ಅರೆ-ಅವಮಾನಿಸುವ SiC ವೇಫರ್‌ಗಳು HPSI SiC ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರೈಮ್ ಪ್ರೊಡಕ್ಷನ್ ಗ್ರೇಡ್ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

4-ಇಂಚಿನ ಉನ್ನತ-ಶುದ್ಧತೆಯ ಅರೆ-ನಿರೋಧಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಡಬಲ್-ಸೈಡೆಡ್ ಪಾಲಿಶಿಂಗ್ ಪ್ಲೇಟ್ ಅನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ 5G ಸಂವಹನ ಮತ್ತು ಇತರ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ರೇಡಿಯೊ ಆವರ್ತನ ಶ್ರೇಣಿ, ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಲಾಂಗ್ ಡಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ರೆಕಗ್ನಿಷನ್, ವಿರೋಧಿ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವ ಅನುಕೂಲಗಳು , ದೊಡ್ಡ-ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಮಾಹಿತಿ ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಇತರ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳು, ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ತಲಾಧಾರವೆಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗಿದೆ.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಉತ್ಪನ್ನದ ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (SiC) ಕಾರ್ಬನ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಕೂಡಿದ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನ, ಅಧಿಕ-ಆವರ್ತನ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ.ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಸ್ತು (Si) ನೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನ ನಿಷೇಧಿತ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಗಲವು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನ ಮೂರು ಪಟ್ಟು;ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ 4-5 ಪಟ್ಟು;ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ 8-10 ಪಟ್ಟು;ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಡ್ರಿಫ್ಟ್ ದರವು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನ 2-3 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಇದು ಆಧುನಿಕ ಉದ್ಯಮದ ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಆವರ್ತನದ ಅಗತ್ಯಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೇಗವನ್ನು ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ- ಆವರ್ತನ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳು, ಮತ್ತು ಅದರ ಡೌನ್‌ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಸ್ಮಾರ್ಟ್ ಗ್ರಿಡ್, ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ ವಾಹನಗಳು, ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಗಾಳಿ ಶಕ್ತಿ, 5G ಸಂವಹನಗಳು ಇತ್ಯಾದಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು ಮತ್ತು MOSFET ಗಳು ಪ್ರಾರಂಭವಾಗಿವೆ. ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ.

SiC ವೇಫರ್‌ಗಳು/SiC ತಲಾಧಾರದ ಪ್ರಯೋಜನಗಳು

ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನ ನಿಷೇಧಿತ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಗಲವು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನ 2-3 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಆದ್ದರಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ನೆಗೆಯುವ ಸಾಧ್ಯತೆ ಕಡಿಮೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲವು ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆಯು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗಿಂತ 4-5 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ಸಾಧನದಿಂದ ಶಾಖವನ್ನು ಹೊರಹಾಕಲು ಸುಲಭವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುವ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ.ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಶಕ್ತಿಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಗಣನೀಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು, ಶಾಖದ ಪ್ರಸರಣ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಟರ್ಮಿನಲ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಹಗುರವಾಗಿ ಮತ್ತು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿಸುತ್ತದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರತಿರೋಧ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನ ಸ್ಥಗಿತ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಸಿಲಿಕಾನ್‌ನ 10 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಪ್ರತಿರೋಧ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ನ ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡ್ರಿಫ್ಟ್ ದರವನ್ನು ಎರಡು ಪಟ್ಟು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಅದರ ಸಾಧನಗಳು ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರ್ಯಾಗ್ ವಿದ್ಯಮಾನದಲ್ಲಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿಲ್ಲ, ಸಾಧನದ ಮಿನಿಯೇಟರೈಸೇಶನ್ ಸಾಧಿಸಲು ಸಾಧನ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನವನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು.

ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ ನಷ್ಟ.ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಕಡಿಮೆ ಆನ್-ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಕಡಿಮೆ ವಹನ ನಷ್ಟ;ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್‌ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹ, ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ;ಜೊತೆಗೆ, ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಾಧನಗಳು ಪ್ರಸ್ತುತ ಡ್ರ್ಯಾಗ್ ವಿದ್ಯಮಾನದಲ್ಲಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿಲ್ಲ, ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನಷ್ಟ.