ವೇಫರ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳು ಮತ್ತು ತಾಂತ್ರಿಕ ದಾಖಲೆಗಳು

ಪರಿವಿಡಿ

1.​ವೇಫರ್ ಕ್ಲೀನಿಂಗ್‌ನ ಪ್ರಮುಖ ಉದ್ದೇಶಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆ​

2. ಮಾಲಿನ್ಯ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿತ ವಿಶ್ಲೇಷಣಾತ್ಮಕ ತಂತ್ರಗಳು​

3.ಸುಧಾರಿತ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳು ಮತ್ತು ತಾಂತ್ರಿಕ ತತ್ವಗಳು​

4. ತಾಂತ್ರಿಕ ಅನುಷ್ಠಾನ ಮತ್ತು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ನಿಯಂತ್ರಣ ಅಗತ್ಯತೆಗಳು​

5. ಭವಿಷ್ಯದ ಪ್ರವೃತ್ತಿಗಳು ಮತ್ತು ನವೀನ ನಿರ್ದೇಶನಗಳು

6.​XKH ಎಂಡ್-ಟು-ಎಂಡ್ ಪರಿಹಾರಗಳು ಮತ್ತು ಸೇವಾ ಪರಿಸರ ವ್ಯವಸ್ಥೆ​

ಅರೆವಾಹಕ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ವೇಫರ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಒಂದು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಪರಮಾಣು-ಮಟ್ಟದ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳು ಸಹ ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಅಥವಾ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ಕುಗ್ಗಿಸಬಹುದು. ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಾವಯವ ಅವಶೇಷಗಳು, ಲೋಹದ ಕಲ್ಮಶಗಳು, ಕಣಗಳು ಮತ್ತು ಸ್ಥಳೀಯ ಆಕ್ಸೈಡ್‌ಗಳಂತಹ ವಿವಿಧ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಬಹು ಹಂತಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ.

1. ವೇಫರ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು

• ಸಾವಯವ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಿ (ಉದಾ, ಫೋಟೊರೆಸಿಸ್ಟ್ ಅವಶೇಷಗಳು, ಬೆರಳಚ್ಚುಗಳು).
• ಲೋಹೀಯ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ನಿವಾರಿಸಿ (ಉದಾ, Fe, Cu, Ni).
• ಕಣಗಳ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ನಿವಾರಿಸಿ (ಉದಾ. ಧೂಳು, ಸಿಲಿಕಾನ್ ತುಣುಕುಗಳು).
• ಸ್ಥಳೀಯ ಆಕ್ಸೈಡ್‌ಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಿ​

2. ಕಠಿಣ ವೇಫರ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯ ಮಹತ್ವ

• ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಇಳುವರಿ ಮತ್ತು ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ.
• ದೋಷಗಳು ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಸ್ಕ್ರ್ಯಾಪ್ ದರಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
• ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.

ತೀವ್ರವಾದ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಗೆ ಮೊದಲು, ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಮೇಲ್ಮೈ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸುವುದು ಅತ್ಯಗತ್ಯ. ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳ ಪ್ರಕಾರ, ಗಾತ್ರ ವಿತರಣೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ಜೋಡಣೆಯನ್ನು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುವುದು ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿಯ ಇನ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

3. ಮಾಲಿನ್ಯ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನಕ್ಕಾಗಿ ಸುಧಾರಿತ ವಿಶ್ಲೇಷಣಾತ್ಮಕ ತಂತ್ರಗಳು

3.1 ಮೇಲ್ಮೈ ಕಣ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

• ವಿಶೇಷ ಕಣ ಕೌಂಟರ್‌ಗಳು ಮೇಲ್ಮೈ ಶಿಲಾಖಂಡರಾಶಿಗಳನ್ನು ಎಣಿಸಲು, ಗಾತ್ರ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ನಕ್ಷೆ ಮಾಡಲು ಲೇಸರ್ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ದೃಷ್ಟಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.
• ಬೆಳಕಿನ ಚದುರುವಿಕೆಯ ತೀವ್ರತೆಯು ಹತ್ತಾರು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್‌ಗಳಷ್ಟು ಚಿಕ್ಕದಾದ ಕಣಗಳ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು 0.1 ಕಣಗಳು/ಸೆಂ² ವರೆಗಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧ ಹೊಂದಿದೆ.
• ಮಾನದಂಡಗಳೊಂದಿಗೆ ಮಾಪನಾಂಕ ನಿರ್ಣಯವು ಹಾರ್ಡ್‌ವೇರ್ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ಮೊದಲು ಮತ್ತು ನಂತರ ಸ್ಕ್ಯಾನ್‌ಗಳು ತೆಗೆಯುವ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು, ಚಾಲನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಸುಧಾರಣೆಗಳನ್ನು ಮೌಲ್ಯೀಕರಿಸುತ್ತವೆ.

3.2 ಧಾತುರೂಪದ ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

• ಮೇಲ್ಮೈ-ಸೂಕ್ಷ್ಮ ತಂತ್ರಗಳು ಧಾತು ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಗುರುತಿಸುತ್ತವೆ.
• ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಫೋಟೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (XPS/ESCA): ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಎಕ್ಸ್-ರೇಗಳಿಂದ ವಿಕಿರಣಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಹೊರಸೂಸುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೂಲಕ ಮೇಲ್ಮೈ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸುತ್ತದೆ.
• ಗ್ಲೋ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಎಮಿಷನ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (GD-OES): ಆಳ-ಅವಲಂಬಿತ ಧಾತುರೂಪದ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಹೊರಸೂಸುವ ವರ್ಣಪಟಲವನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸುವಾಗ ಅತಿ-ತೆಳುವಾದ ಮೇಲ್ಮೈ ಪದರಗಳನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಚೆಲ್ಲುತ್ತದೆ.
• ಪತ್ತೆ ಮಿತಿಗಳು ಮಿಲಿಯನ್‌ಗೆ ಭಾಗಗಳನ್ನು (ppm) ತಲುಪುತ್ತವೆ, ಇದು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದ ಆಯ್ಕೆಗೆ ಮಾರ್ಗದರ್ಶನ ನೀಡುತ್ತದೆ.

3.3 ರೂಪವಿಜ್ಞಾನ ಮಾಲಿನ್ಯ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ

• ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (SEM): ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳ ಆಕಾರಗಳು ಮತ್ತು ಆಕಾರ ಅನುಪಾತಗಳನ್ನು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಸೆರೆಹಿಡಿಯುತ್ತದೆ, ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ (ರಾಸಾಯನಿಕ vs. ಯಾಂತ್ರಿಕ).
• ಪರಮಾಣು ಬಲ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕ (AFM): ಕಣದ ಎತ್ತರ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪರಿಮಾಣೀಕರಿಸಲು ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಸ್ಥಳಾಕೃತಿಯನ್ನು ನಕ್ಷೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
• ಕೇಂದ್ರೀಕೃತ ಅಯಾನ್ ಬೀಮ್ (FIB) ಮಿಲ್ಲಿಂಗ್ + ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಮಿಷನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (TEM): ಸಮಾಧಿ ಮಾಡಲಾದ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳ ಆಂತರಿಕ ನೋಟವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.

4. ಸುಧಾರಿತ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳು

ದ್ರಾವಕ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಸಾವಯವ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ, ಅಜೈವಿಕ ಕಣಗಳು, ಲೋಹದ ಉಳಿಕೆಗಳು ಮತ್ತು ಅಯಾನಿಕ್ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸುಧಾರಿತ ತಂತ್ರಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ:

​

4.1 ಆರ್‌ಸಿಎ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ

• ಆರ್‌ಸಿಎ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯಗಳು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ ಈ ವಿಧಾನವು ಧ್ರುವೀಯ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ದ್ವಿ-ಸ್ನಾನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ.
• SC-1 (ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಕ್ಲೀನ್-1)​: NH₄OH, H₂O₂, ಮತ್ತು H₂O​​ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಾವಯವ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳು ಮತ್ತು ಕಣಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ (ಉದಾ, ~20°C ನಲ್ಲಿ 1:1:5 ಅನುಪಾತ). ತೆಳುವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ.
• SC-2 (ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಕ್ಲೀನ್-2)​: HCl, H₂O₂, ಮತ್ತು H₂O​​ ಬಳಸಿ ಲೋಹೀಯ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ (ಉದಾ, ~80°C ನಲ್ಲಿ 1:1:6 ಅನುಪಾತ). ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಬಿಡುತ್ತದೆ.
• ಮೇಲ್ಮೈ ರಕ್ಷಣೆಯೊಂದಿಗೆ ಶುಚಿತ್ವವನ್ನು ಸಮತೋಲನಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

​

೪.೨ ಓಝೋನ್ ಶುದ್ಧೀಕರಣ

• ಓಝೋನ್-ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಡಿಯೋನೈಸ್ಡ್ ನೀರಿನಲ್ಲಿ (O₃/H₂O) ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಮುಳುಗಿಸುತ್ತದೆ.
• ವೇಫರ್‌ಗೆ ಹಾನಿಯಾಗದಂತೆ ಸಾವಯವ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ, ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಬಿಡುತ್ತದೆ.

​

4.3 ಮೆಗಾಸಾನಿಕ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ​

• ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ದ್ರಾವಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನದ ಅಲ್ಟ್ರಾಸಾನಿಕ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 750–900 kHz) ಬಳಸುತ್ತದೆ.
• ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಹೊರಹಾಕುವ ಗುಳ್ಳೆ ಗುಳ್ಳೆಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಗಳಿಗೆ ಹಾನಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವಾಗ ಸಂಕೀರ್ಣ ಜ್ಯಾಮಿತಿಯನ್ನು ಭೇದಿಸುತ್ತದೆ.

4.4 ಕ್ರಯೋಜೆನಿಕ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ

• ವೇಫರ್‌ಗಳನ್ನು ಕ್ರಯೋಜೆನಿಕ್ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ತ್ವರಿತವಾಗಿ ತಂಪಾಗಿಸುತ್ತದೆ, ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಸುಗಮಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.
• ನಂತರದ ತೊಳೆಯುವಿಕೆ ಅಥವಾ ಮೃದುವಾದ ಹಲ್ಲುಜ್ಜುವಿಕೆಯು ಸಡಿಲಗೊಂಡ ಕಣಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುತ್ತದೆ. ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಮರುಮಾಲಿನ್ಯ ಮತ್ತು ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ.
• ಕನಿಷ್ಠ ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಳಕೆಯೊಂದಿಗೆ ವೇಗವಾದ, ಒಣಗಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ.

ತೀರ್ಮಾನ:
ಪ್ರಮುಖ ಪೂರ್ಣ-ಸರಪಳಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಪರಿಹಾರ ಪೂರೈಕೆದಾರರಾಗಿ, XKH ತಾಂತ್ರಿಕ ನಾವೀನ್ಯತೆಯಿಂದ ನಡೆಸಲ್ಪಡುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕರು ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ ಉಪಕರಣಗಳ ಪೂರೈಕೆ, ವೇಫರ್ ತಯಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ನಿಖರ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡ ಅಂತ್ಯದಿಂದ ಅಂತ್ಯದ ಸೇವಾ ಪರಿಸರ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ. ವೇಫರ್ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಪರಮಾಣು-ಮಟ್ಟದ ಶುಚಿತ್ವವನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು, ಕ್ಲೈಂಟ್ ಇಳುವರಿ ಮತ್ತು ಉತ್ಪಾದನಾ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ನಾವು ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯವಾಗಿ ಗುರುತಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ಅರೆವಾಹಕ ಉಪಕರಣಗಳನ್ನು (ಉದಾ, ಲಿಥೊಗ್ರಫಿ ಯಂತ್ರಗಳು, ಎಚ್ಚಣೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು) ಸೂಕ್ತವಾದ ಪರಿಹಾರಗಳೊಂದಿಗೆ ಪೂರೈಸುತ್ತೇವೆ ಆದರೆ RCA ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ, ಓಝೋನ್ ಶುದ್ಧೀಕರಣ ಮತ್ತು ಮೆಗಾಸಾನಿಕ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಸೇರಿದಂತೆ ಪ್ರವರ್ತಕ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳನ್ನು ಸಹ ಪೂರೈಸುತ್ತೇವೆ. ಸ್ಥಳೀಯ ಕ್ಷಿಪ್ರ-ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ತಂಡಗಳು ಮತ್ತು ಬುದ್ಧಿವಂತ ಸೇವಾ ಜಾಲಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಮೂಲಕ, ನಾವು ಉಪಕರಣಗಳ ಸ್ಥಾಪನೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಆಪ್ಟಿಮೈಸೇಶನ್‌ನಿಂದ ಮುನ್ಸೂಚಕ ನಿರ್ವಹಣೆಯವರೆಗೆ ಸಮಗ್ರ ಬೆಂಬಲವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತೇವೆ, ತಾಂತ್ರಿಕ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ನಿವಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ಸುಸ್ಥಿರ ಅರೆವಾಹಕ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯತ್ತ ಮುನ್ನಡೆಯಲು ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಅಧಿಕಾರ ನೀಡುತ್ತೇವೆ. ತಾಂತ್ರಿಕ ಪರಿಣತಿ ಮತ್ತು ವಾಣಿಜ್ಯ ಮೌಲ್ಯದ ದ್ವಿ-ಗೆಲುವಿನ ಸಿನರ್ಜಿಗಾಗಿ ನಮ್ಮನ್ನು ಆರಿಸಿ.