4H-N 4 ಇಂಚಿನ SiC ತಲಾಧಾರ ವೇಫರ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಉತ್ಪಾದನೆ ಡಮ್ಮಿ ಸಂಶೋಧನಾ ದರ್ಜೆ

4-ಇಂಚಿನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕ ತಲಾಧಾರ ವೇಫರ್ ವ್ಯಾಸ 4 ಇಂಚುಗಳು (ಸುಮಾರು 101.6 ಮಿಮೀ), ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯ Ra < 0.5 nm ವರೆಗೆ, ದಪ್ಪ 600±25 μm. ವೇಫರ್‌ನ ವಾಹಕತೆಯು N ಪ್ರಕಾರ ಅಥವಾ P ಪ್ರಕಾರವಾಗಿದ್ದು ಗ್ರಾಹಕರ ಅಗತ್ಯಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಚಿಪ್ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪ್ರಮಾಣದ ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ಕಂಪನವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲದು.

ಇಂಚಿನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ವೇಫರ್ ಅರೆವಾಹಕ, ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಉನ್ನತ-ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಇದು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ, ಯಾಂತ್ರಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳ ಸಂಶೋಧನೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ವಿವಿಧ ಗ್ರಾಹಕರ ಅಗತ್ಯಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ನಾವು ವಿವಿಧ ವಿಶೇಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕೀಕರಣ ಆಯ್ಕೆಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತೇವೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾಹಿತಿಯ ಕುರಿತು ಇನ್ನಷ್ಟು ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳಲು ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮ ಸ್ವತಂತ್ರ ಸೈಟ್‌ಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಿ.

ಪ್ರಮುಖ ಕೆಲಸಗಳು: ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವೇಫರ್‌ಗಳು, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕ ತಲಾಧಾರ ವೇಫರ್‌ಗಳು, 4 ಇಂಚುಗಳು, ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ, ಯಾಂತ್ರಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧ, ವಿದ್ಯುತ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು, ಸಂಯೋಜಿತ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು, ವಿದ್ಯುತ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಎಲ್‌ಇಡಿಗಳು, ಲೇಸರ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು, ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯ, ವಾಹಕತೆ, ಕಸ್ಟಮ್ ಆಯ್ಕೆಗಳು