2 ಇಂಚಿನ 50.8mm ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ವೇಫರ್ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಸಿಂಗಲ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ 1SP 2SP
ವಿವರವಾದ ಮಾಹಿತಿ
ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಚಿಪ್ಸ್ ಅರೆವಾಹಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸಿದೆ. ಜರ್ಮೇನಿಯಂ 5.32g/cm 3 ಕರಗುವ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಅನ್ನು ತೆಳುವಾದ ಚದುರಿದ ಲೋಹ ಎಂದು ವರ್ಗೀಕರಿಸಬಹುದು, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ, ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಗಾಳಿ ಅಥವಾ ನೀರಿನ ಆವಿಯೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ 600 ~ 700℃ ನಲ್ಲಿ, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ಹೈಡ್ರೋಕ್ಲೋರಿಕ್ ಆಮ್ಲದೊಂದಿಗೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದಿಲ್ಲ, ಸಲ್ಫ್ಯೂರಿಕ್ ಆಮ್ಲವನ್ನು ದುರ್ಬಲಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಕೇಂದ್ರೀಕೃತ ಸಲ್ಫ್ಯೂರಿಕ್ ಆಮ್ಲವನ್ನು ಬಿಸಿ ಮಾಡಿದಾಗ, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ನಿಧಾನವಾಗಿ ಕರಗುತ್ತದೆ. ನೈಟ್ರಿಕ್ ಆಮ್ಲ ಮತ್ತು ಅಕ್ವಾ ರೆಜಿಯಾದಲ್ಲಿ, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಸುಲಭವಾಗಿ ಕರಗುತ್ತದೆ. ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಮೇಲೆ ಕ್ಷಾರ ದ್ರಾವಣದ ಪರಿಣಾಮವು ತುಂಬಾ ದುರ್ಬಲವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಕರಗಿದ ಕ್ಷಾರವು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಅನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಕರಗಿಸಬಹುದು. ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಇಂಗಾಲದೊಂದಿಗೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದಿಲ್ಲ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಕ್ರೂಸಿಬಲ್‌ನಲ್ಲಿ ಕರಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇಂಗಾಲದಿಂದ ಕಲುಷಿತಗೊಳಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆ, ರಂಧ್ರ ಚಲನಶೀಲತೆ ಮತ್ತು ಮುಂತಾದ ಉತ್ತಮ ಅರೆವಾಹಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಜರ್ಮೇನಿಯಂನ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆ
| ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನ | CZ | ||
| ಸ್ಫಟಿಕ ಸಂಸ್ಥೆ | ಘನ ವ್ಯವಸ್ಥೆ | ||
| ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕ | a=5.65754 Å | ||
| ಸಾಂದ್ರತೆ | ೫.೩೨೩ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ೩ | ||
| ಕರಗುವ ಬಿಂದು | 937.4℃ ತಾಪಮಾನ | ||
| ಡೋಪಿಂಗ್ | ಡೋಪಿಂಗ್ ರದ್ದು | ಡೋಪಿಂಗ್-Sb | ಡೋಪಿಂಗ್-ಗಾ |
| ಪ್ರಕಾರ | / | N | P |
| ಪ್ರತಿರೋಧ | > 35Ωಸೆಂ.ಮೀ. | 0.01~35 ಓಮ್ಸೆಂ.ಮೀ. | 0.05~35 ಓಮ್ಸೆಂ.ಮೀ. |
| ಇಪಿಡಿ | 4 × 10 ×3∕ಸೆ.ಮೀ2 | 4 × 10 ×3∕ಸೆ.ಮೀ2 | 4 × 10 ×3∕ಸೆ.ಮೀ2 |
| ವ್ಯಾಸ | 2ಇಂಚು/50.8ಮಿಮೀ | ||
| ದಪ್ಪ | 0.5ಮಿಮೀ, 1.0ಮಿಮೀ | ||
| ಮೇಲ್ಮೈ | ಡಿಎಸ್ಪಿ ಮತ್ತು ಎಸ್ಎಸ್ಪಿ | ||
| ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µಮೀ×5µಮೀ) | ||
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | 100 ದರ್ಜೆಯ ಪ್ಯಾಕೇಜ್, 1000 ದರ್ಜೆಯ ಕೊಠಡಿ | ||
ವಿವರವಾದ ರೇಖಾಚಿತ್ರ
