2 ಇಂಚಿನ ಸಿಕ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರ 6H-N ಪ್ರಕಾರ 0.33mm 0.43mm ಎರಡು ಬದಿಯ ಹೊಳಪು ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (SiC) ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಿಶಾಲ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರದ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಪ್ರಕಾರ6H-Nಅದರ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯು ಷಡ್ಭುಜೀಯ (6H) ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು "N" ಇದು N-ಮಾದರಿಯ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಾರಜನಕವನ್ನು ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಸಾಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ತಲಾಧಾರವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಇತ್ಯಾದಿಗಳ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದಿಂದ ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಲಾದ ಸಾಧನವು ನಷ್ಟವನ್ನು 80% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಾಧನದ ಗಾತ್ರವನ್ನು 90% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಹೊಸ ಶಕ್ತಿಯ ವಾಹನಗಳ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಹೊಸ ಶಕ್ತಿಯ ವಾಹನಗಳು ಹಗುರತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಮತ್ತು ನಷ್ಟಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಚಾಲನಾ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸಹಾಯ ಮಾಡುತ್ತದೆ; 5G ಸಂವಹನ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ಸಂಬಂಧಿತ ಉಪಕರಣಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಇದನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು; ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು; ರೈಲು ಸಾಗಣೆಯ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಅದರ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದ ಪ್ರತಿರೋಧ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ

ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು

2 ಇಂಚಿನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವೇಫರ್‌ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತಿವೆ.

1. ಗಡಸುತನ: ಮೊಹ್ಸ್ ಗಡಸುತನ ಸುಮಾರು 9.2.
2. ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ: ಷಡ್ಭುಜೀಯ ಜಾಲರಿ ರಚನೆ.
3. ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ: SiC ಯ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನದಾಗಿದೆ, ಇದು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಶಾಖ ಪ್ರಸರಣಕ್ಕೆ ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ.
4. ವೈಡ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್: SiC ಯ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ ಸುಮಾರು 3.3eV ಆಗಿದ್ದು, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
5. ವಿಭಜನೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಗಿತ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆ, MOSFET ಗಳು ಮತ್ತು IGBT ಗಳಂತಹ ದಕ್ಷ ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.
6. ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ವಿಕಿರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ: ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಮತ್ತು ರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ರಕ್ಷಣೆಯಂತಹ ಕಠಿಣ ಪರಿಸರಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಅತ್ಯುತ್ತಮ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧ, ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ ಮತ್ತು ಇತರ ರಾಸಾಯನಿಕ ದ್ರಾವಕಗಳು.
7. ಹೆಚ್ಚಿನ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿ: ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದ ವಾತಾವರಣದಲ್ಲಿ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿ.
ಇದನ್ನು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಶಕ್ತಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ನೇರಳಾತೀತ ಫೋಟೊಡೆಕ್ಟರ್‌ಗಳು, ಫೋಟೊವೋಲ್ಟಾಯಿಕ್ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಾಹನ ಪಿಸಿಯುಗಳು, ಇತ್ಯಾದಿ.

2 ಇಂಚಿನ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ವೇಫರ್ ಹಲವಾರು ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.

1.ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು: ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ವಿದ್ಯುತ್ MOSFET, IGBT ಮತ್ತು ಇತರ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹನಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

2.Rf ಸಾಧನಗಳು: ಸಂವಹನ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ, SiC ಅನ್ನು ಅಧಿಕ ಆವರ್ತನ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು RF ಪವರ್ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಬಹುದು.

3.ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳು: SIC-ಆಧಾರಿತ LED ಗಳಂತಹವು, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ನೀಲಿ ಮತ್ತು ನೇರಳಾತೀತ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ.

4. ಸಂವೇದಕಗಳು: ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿರೋಧದಿಂದಾಗಿ, SiC ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಸಂವೇದಕಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಸಂವೇದಕ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು.

5.ಮಿಲಿಟರಿ ಮತ್ತು ಏರೋಸ್ಪೇಸ್: ಅದರ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಂದಾಗಿ, ತೀವ್ರ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಬಳಸಲು ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

6H-N ಟೈಪ್ 2 "SIC ತಲಾಧಾರದ ಮುಖ್ಯ ಅನ್ವಯಿಕ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ ವಾಹನಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ರೂಪಾಂತರ ಕೇಂದ್ರಗಳು, ಬಿಳಿ ಸರಕುಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗದ ರೈಲುಗಳು, ಮೋಟಾರ್‌ಗಳು, ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುಜ್ಜನಕ ಇನ್ವರ್ಟರ್, ಪಲ್ಸ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ಇತ್ಯಾದಿ ಸೇರಿವೆ.

ಗ್ರಾಹಕರ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ವಿಭಿನ್ನ ದಪ್ಪಗಳೊಂದಿಗೆ XKH ಅನ್ನು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು. ವಿಭಿನ್ನ ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನ ಮತ್ತು ಹೊಳಪು ಚಿಕಿತ್ಸೆಗಳು ಲಭ್ಯವಿದೆ. ವಿವಿಧ ರೀತಿಯ ಡೋಪಿಂಗ್ (ನೈಟ್ರೋಜನ್ ಡೋಪಿಂಗ್‌ನಂತಹ) ಬೆಂಬಲಿತವಾಗಿದೆ. ಗ್ರಾಹಕೀಕರಣವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಪ್ರಮಾಣಿತ ವಿತರಣಾ ಸಮಯ 2-4 ವಾರಗಳು. ತಲಾಧಾರದ ಸುರಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಆಂಟಿ-ಸ್ಟ್ಯಾಟಿಕ್ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ಆಂಟಿ-ಸೆಸ್ಮಿಕ್ ಫೋಮ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ. ವಿವಿಧ ಶಿಪ್ಪಿಂಗ್ ಆಯ್ಕೆಗಳು ಲಭ್ಯವಿದೆ, ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕರು ಒದಗಿಸಿದ ಟ್ರ್ಯಾಕಿಂಗ್ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಮೂಲಕ ನೈಜ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಲಾಜಿಸ್ಟಿಕ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಬಹುದು. ಬಳಕೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಗ್ರಾಹಕರು ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಬಹುದೆಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ತಾಂತ್ರಿಕ ಬೆಂಬಲ ಮತ್ತು ಸಲಹಾ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಿ.